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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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AS6C62256-55SIN
AS6C62256-55SIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥24.91558

2939

5-7 工作日

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合计: ¥24.91558

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AS6C6264-55SCN
AS6C6264-55SCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥24.98801

3949

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.98801

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AS4C64M8SC-7TIN
AS4C64M8SC-7TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥94.41688

557

2-3 工作日

- +

合计: ¥94.41688

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AS4C512M16D3LA-10BCN
AS4C512M16D3LA-10BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.275V~1.455V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(13.5x9)

¥244.23957

641

2-3 工作日

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合计: ¥244.23957

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AS6C4008-55SIN
AS6C4008-55SIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥38.17032

10680

2-3 工作日

- +

合计: ¥38.17032

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AS4C8M16SA-6TCN
AS4C8M16SA-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥24.72873

1166

2-3 工作日

- +

合计: ¥24.72873

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AS4C32M16D1A-5TIN
AS4C32M16D1A-5TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥25.00198

0

2-3 工作日

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合计: ¥25.00198

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AS4C64M16D2A-25BCN
AS4C64M16D2A-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥40.70510

1056

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.70510

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AS6C4008-55ZIN
AS6C4008-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥40.70510

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.70510

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AS4C32M16MD1A-5BCN
AS4C32M16MD1A-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥43.09526

4543

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.09526

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AS7C31026B-12TCN
AS7C31026B-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥27.37816

5842

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.37816

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AS4C4M16SA-6TAN
AS4C4M16SA-6TAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥20.17814

662

2-3 工作日

- +

合计: ¥20.17814

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AS7C34098A-10TCN
AS7C34098A-10TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥45.55784

4664

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.55784

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AS7C4096A-12JIN
AS7C4096A-12JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥45.55784

413

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.55784

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AS4C64M8D2-25BIN
AS4C64M8D2-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥45.91578

21437

2-3 工作日

- +

合计: ¥45.91578

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AS6C4008-55PCN
AS6C4008-55PCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PDIP

¥46.35456

3754

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.35456

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AS6C4008-55PIN
AS6C4008-55PIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PDIP

¥46.70399

3665

2-3 工作日

- +

合计: ¥46.70399

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AS6C1008-55PIN
AS6C1008-55PIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PDIP

¥31.50662

745

5-7 工作日

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合计: ¥31.50662

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M29F400FT5AN6E2
M29F400FT5AN6E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥31.94119

9883

5-7 工作日

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合计: ¥31.94119

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M29F160FT55N3E2
M29F160FT55N3E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥31.94119

845

5-7 工作日

- +

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