品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥20.14642 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,285.68179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥20.14642 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,285.68179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥20.14642 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,285.68179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (FLASH-NOR), 1Gb (FLASH-NAND) (2M x 8 (FLASH-NOR), 128M x 8 (FLASH-NAND)) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥27.80354 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,345.69824 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥33.81940 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,696.24179 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥33.81940 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,696.24179 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥27.93529 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,408.93728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (FLASH-NOR), 1Gb (FLASH-NAND) (4M x 8 (FLASH-NOR), 128M x 8 (FLASH-NAND)) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥30.57062 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,673.89520 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥31.65872 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,598.09184 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥31.65872 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,598.09184 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥15.18126 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,653.31991 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥15.18126 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,653.31991 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥19.70069 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,891.26605 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥22.87907 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,138.26922 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥24.24575 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,637.96144 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥1.66152 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥166.15210 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥41.61589 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,975.62864 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥40.66105 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,050.88869 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥40.66105 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,050.88869 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥41.65964 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,996.62720 | 添加到BOM 立即询价 |