Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥22.72822 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.72822 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥902.74057 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥902.74057 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥87.66806 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.66806 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥528.97796 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥528.97796 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥26.91462 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.91462 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥16.97736 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.97736 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥64.20107 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.20107 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥469.68758 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥469.68758 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥60.01467 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.01467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥85.11856 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85.11856 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥698.47630 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥698.47630 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥10.02417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.02417 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-USON (4x3) | ¥10.96575 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.96575 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥20.51189 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.51189 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥30.65195 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.65195 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥17.09324 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.09324 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥16.73110 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.73110 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥49.96152 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.96152 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.06 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥43.99338 | 198 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.99338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥24.57109 | 198 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.57109 | 立即购买 加入购物车 |