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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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操作
W25Q32FWSSIQ
W25Q32FWSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥51.74328

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5-7 工作日

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合计: ¥51.74328

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W25Q32FWZPIQ
W25Q32FWZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥43.44291

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5-7 工作日

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合计: ¥43.44291

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W25Q40EWZPIG
W25Q40EWZPIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥24.71278

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5-7 工作日

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合计: ¥24.71278

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W25N01GWZEIT
W25N01GWZEIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥69.50287

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合计: ¥69.50287

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W25Q16DWSNAG
W25Q16DWSNAG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥468.38386

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W25Q16DWSSAG
W25Q16DWSSAG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥122.96996

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合计: ¥122.96996

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W25N512GWBIT
W25N512GWBIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥31.53559

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5-7 工作日

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合计: ¥31.53559

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W29N02KVBIAF
W29N02KVBIAF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥135.38429

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合计: ¥135.38429

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W63CH2MBVACE
W63CH2MBVACE
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 178-VFBGA (11x11.5)

¥34.66452

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合计: ¥34.66452

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W25Q256JWCIQ
W25Q256JWCIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥26.62490

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5-7 工作日

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合计: ¥26.62490

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W29N08GZSIBA
W29N08GZSIBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 48-TSOP

¥28.16040

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合计: ¥28.16040

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W25Q128JWFIM
W25Q128JWFIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥109.52713

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合计: ¥109.52713

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W29N01HWDINA
W29N01HWDINA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x6.5)

¥44.68869

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合计: ¥44.68869

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W25Q256JWCIM
W25Q256JWCIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥35.85236

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W631GU8MB-11
W631GU8MB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥29.81178

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合计: ¥29.81178

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W25Q128JVSAQ
W25Q128JVSAQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥13.51525

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W631GG8MB-09
W631GG8MB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥41.86396

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合计: ¥41.86396

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W631GU8MB-09
W631GU8MB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥63.54921

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合计: ¥63.54921

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W631GG6MB-09
W631GG6MB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥32.25988

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W25Q64CVSFBG
W25Q64CVSFBG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥128.40213

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合计: ¥128.40213

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