品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (6.4x10.1) | ¥24.24530 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,934.15466 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (6.4x10.1) | ¥16.14993 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,618.87969 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (6.4x10.1) | ¥16.14993 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,618.87969 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9.5) | ¥25.24861 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,665.63172 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥10.02601 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,812.48624 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥17.77980 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,534.30304 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥13.52566 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,460.77117 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥16.22250 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,460.02527 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥16.22250 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,460.02527 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥14.35615 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,890.95296 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥7.94278 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,527.38517 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥7.94278 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,527.38517 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥7.55629 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,579.26524 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥16.15551 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,376.50075 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (6.4x10.1) | ¥21.06214 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,023.77090 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥25.06503 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,015.60792 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.25013 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥382.51206 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥24.08047 | 1508 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.08047 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.283V～1.45V、1.425V～1.575V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥32.44370 | 222 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,851.37564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥32.23248 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,382.03045 | 立即购买 加入购物车 |