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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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R1LP0408DSP-5SI#B1
R1LP0408DSP-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥60.88816

165

2-3 工作日

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合计: ¥60.88816

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HM28100TTI5SE
HM28100TTI5SE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥231.41066

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,314.10655

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UPD43256BGU-70LL-E1-A
UPD43256BGU-70LL-E1-A
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS

¥55.62547

118309

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.01888

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71V416L12PHG
71V416L12PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥60.26093

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.26093

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UPD431000AGZ-70LL-KJH-E3-A
UPD431000AGZ-70LL-KJH-E3-A
SRAM 5V 1M-BIT (128K X 8)

¥55.62547

104251

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.01888

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UPD431000AGW-80Y
UPD431000AGW-80Y
MEMORY / SRAM

¥55.62547

39652

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.01888

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UPD431000AGW-70L-E1-A
UPD431000AGW-70L-E1-A
MEMORY / SRAM

¥55.62547

32564

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.01888

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71V416S12PHGI
71V416S12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥49.35237

4

2-3 工作日

- +

合计: ¥49.35237

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R1EX24064ATAS0A#U0
R1EX24064ATAS0A#U0
EEPROM, 8KX8, SERIAL

¥18.54182

579000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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R1EX24064ASAS0A#S0
R1EX24064ASAS0A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥18.54182

349882

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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R1EX24064ASA00I#S0
R1EX24064ASA00I#S0
EEPROM, 8KX8, SERIAL

¥18.54182

85000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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R1EX24064ATAS0A#RS
R1EX24064ATAS0A#RS
EEPROM, 8KX8, SERIAL

¥18.54182

24000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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R1EX24064ASAS0A#U0
R1EX24064ASAS0A#U0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥18.54182

12500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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R1EX24064ATAS0A#S0
R1EX24064ATAS0A#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥18.54182

11857

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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R1EX24064ASA00A#S0
R1EX24064ASA00A#S0
EEPROM, 8KX8, SERIAL

¥18.54182

7500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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RMWV3216AGBG-5S2#AC0
RMWV3216AGBG-5S2#AC0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)

¥420.97696

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥420.97696

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UPD43256BGU-70LL-E2-A
UPD43256BGU-70LL-E2-A
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS

¥55.62547

4384

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,225.01888

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R1LV5256ESA-5SI#S1
R1LV5256ESA-5SI#S1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥28.39217

0

5-7 工作日

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合计: ¥28.39217

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71V416L10PHGI
71V416L10PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥70.04826

3

2-3 工作日

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合计: ¥70.04826

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RMWV6416AGSD-5S2#AA0
RMWV6416AGSD-5S2#AA0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II

¥603.55086

605

5-7 工作日

- +

合计: ¥603.55086

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