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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70V3569S4BF8
70V3569S4BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (16K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥667.92141

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5-7 工作日

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合计: ¥667,921.40600

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7025L20PFGI8
7025L20PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥347.62878

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5-7 工作日

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合计: ¥260,721.58500

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71V67703S85PFGI
71V67703S85PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥185.48125

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2-3 工作日

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合计: ¥40,063.94914

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71V67903S75PFGI
71V67903S75PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥186.75680

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5-7 工作日

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合计: ¥40,339.46880

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7052L20G
7052L20G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 108-PGA(30.48x30.48)

¥1,006.11928

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5-7 工作日

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合计: ¥9,055.07351

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71V67903S80PFGI
71V67903S80PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥186.75680

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5-7 工作日

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合计: ¥40,339.46880

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M30162040108X0PSAY
M30162040108X0PSAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥280.85449

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2-3 工作日

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合计: ¥42,128.17290

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71V67903S85PFGI
71V67903S85PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥186.75680

0

5-7 工作日

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合计: ¥40,339.46880

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M10162040108X0PSAY
M10162040108X0PSAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥280.85449

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2-3 工作日

- +

合计: ¥42,128.17290

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70V3569S4BFG8
70V3569S4BFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (16K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥667.92141

0

5-7 工作日

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合计: ¥667,921.40600

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M10162040108X0PWAR
M10162040108X0PWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥282.52549

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2-3 工作日

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合计: ¥1,130,101.95200

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7133LA70GB
7133LA70GB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥1,896.11191

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39,818.35011

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70V3569S4BC
70V3569S4BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (16K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥663.33533

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2-3 工作日

- +

合计: ¥31,840.09598

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709279L12PFGI
709279L12PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥465.80300

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5-7 工作日

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合计: ¥22,358.54376

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M10162040108X0PSAR
M10162040108X0PSAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥282.52549

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2-3 工作日

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合计: ¥565,050.97600

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7143LA70GB
7143LA70GB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥1,896.11191

0

5-7 工作日

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合计: ¥39,818.35011

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M30162040108X0PSAR
M30162040108X0PSAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥282.52549

0

2-3 工作日

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合计: ¥565,050.97600

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5962-8866509ZA
5962-8866509ZA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (2K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥1,896.11191

0

5-7 工作日

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合计: ¥39,818.35011

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5962-8976406MYA
5962-8976406MYA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

¥2,744.62243

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合计: ¥93,317.16248

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7134LA70J
7134LA70J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥84.01764

11

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合计: ¥84.01764

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