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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SIA413ADJ-T1-GE3
SIA413ADJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 19W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6单 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.02561

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SIR800ADP-T1-RE3
SIR800ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50.2A (Ta), 177A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

2128

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合计: ¥7.02561

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SIA447DJ-T1-GE3
SIA447DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 19W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.69388

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5-7 工作日

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合计: ¥3.69388

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SQ3419AEEV-T1_GE3
SQ3419AEEV-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.35975

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5-7 工作日

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合计: ¥5.35975

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SIRA64DP-T1-GE3
SIRA64DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 27.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

1859

5-7 工作日

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合计: ¥7.02561

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SI7852ADP-T1-E3
SI7852ADP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.14927

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合计: ¥21.14927

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SQ3426AEEV-T1_GE3
SQ3426AEEV-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.35975

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.35975

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SIRA64DP-T1-RE3
SIRA64DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 27.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

1439

5-7 工作日

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合计: ¥7.02561

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SIA459EDJ-T1-GE3
SIA459EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.9W(Ta),15.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

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合计: ¥3.76631

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SI2319DDS-T1-GE3
SI2319DDS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta)、3.6A(Tc) 最大功耗: 1W(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

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合计: ¥3.76631

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SUM110P08-11L-E3
SUM110P08-11L-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Ta)、375W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.27292

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SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

22

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合计: ¥5.35975

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SIA416DJ-T1-GE3
SIA416DJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

0

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合计: ¥5.35975

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SISA72DN-T1-GE3
SISA72DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

0

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IRFP240PBF
IRFP240PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.38056

0

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合计: ¥22.38056

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SQ2337ES-T1_GE3
SQ2337ES-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

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合计: ¥5.21489

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SI3433CDV-T1-GE3
SI3433CDV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Ta)、3.3W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

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IRFP9140PBF
IRFP9140PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 180W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.45299

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合计: ¥22.45299

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SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

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合计: ¥5.21489

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SI2336DS-T1-GE3
SI2336DS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

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