9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBRF500100R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRF500100R参考价格为0.564美元。GeneSiC半导体MBRF500100R封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 250A TO244AB。您可以下载MBRF500100R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBRF40250TG是二极管肖特基250V 40A TO220FP，包括开关模式？系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3全包装包装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-220FP供应商器件包中提供，该器件具有单双阳极配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为30μa@250V，电压正向Vf Max If为970mV@40A，电压反向Vr Max为250V，电流平均整流Io为40A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为500pF@5V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.97 V，Ir反向电流为30 uA，Ifsm正向浪涌电流为150A，trr反向恢复时间为35ns。
MBRF40250T是DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220FP，包括970mV@40A电压正向Vf Max。如果它们设计为在250V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-220FP的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在SWITCHMODE？下工作？，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-220-3全封装，其工作温度结范围为-65°C~150°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为30μa@250V，电流平均整流Io为40A，电容Vr F为500pF@5V，1MHz。
MBRF4040CT带有SEP制造的电路图。MBRF404OCT采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
MBRF4045CT采用SEP制造的EDA/CAD模型。MBRF4045CT采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分，支持二极管阵列1对公共阴极肖特基30V通孔TO-220-3隔离片。
