9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的1N4003-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4003-T参考价格0.22000美元。Diodes Incorporated 1N4003-T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41。您可以下载1N4003-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4003RLG是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1N4003系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A。
1N4003L-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
1N4003RL是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AL、DO-41，轴向包装盒，该设备也可以用作切割胶带（CT）包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-41供应商设备包中提供，该设备具有200V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@1A。
