9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8TQ080STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8TQ080STRRPBF参考价格$2.106。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8TQ080STRRPBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK。您可以下载VS-8TQ080STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8TQ080STRLPBF是DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK，包括VS-8TQ。。。PbF系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如8TQ080STRLPBF，单位重量设计为0.048678盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备还可以用作to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的D2PAK，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为550μa@80V，电压正向Vf Max If为720mV@8A，电压反向Vr Max为80V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为500pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，16 A时Vf正向电压为0.88 V，Ir反向电流为550 uA，If正向电流为8 A，Vrm重复反向电压为80V，Ifsm正向浪涌电流为850A。
带有用户指南的VS-8TQ080STRHM3，包括720mV@8A正向电压Vf Max。如果设计为在80V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263（D2Pak）的供应商设备包，该to-263提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为550μa@80V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为500pF@5V，1MHz。
VS-8TQ080STRR-M3，带电路图，包括500pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于550μa@80V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，设备具有TO-263（D2Pak）供应商设备包装，电压DC反向Vr最大值为80V，电压正向Vf最大值为720mV@8A。
