9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX384C4V7-G3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX384C4V7-G3-08参考价格为0.31000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX384C4V7-G3-08封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323。您可以下载BZX384C4V7-G3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BZX384C4V7-G3-08价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX384C4V7-G3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BZX384C4 V7-V-G-18，单位重量设计为0.000141盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为SC-76、SOD-323封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，配置为单一，容差为±5%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为3μA@2V，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.2 mV/C，Zz齐纳阻抗为50欧姆，Ir反向电流为3 uA。
BZX384C4V7-HE3-08，带有用户指南，包括50欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于4.7 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了4.7V齐纳标称电压，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.2 mV/C，以及0.000152盎司单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOD-323，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SC-76，SOD-323；其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大Zzt为80 Ohm，反向电流Vr为3μA@2V，配置为单一。
BZX384C4V7-HE3-18带电路图，包括单一配置，设计用于在3μa@2V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于80欧姆，提供Ir反向电流特性，如3 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有SC-76、SOD-323封装盒，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101，供应商器件封装为SOD-323，公差为±5%，单位重量为0.000152盎司，电压温度系数为0.2 mV/C，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为4.7V，Vz齐纳电压为4.7 V，Zz齐纳阻抗为50欧姆。
BZX384C4V7-GS08，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BZX384C4V7-GS08采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
