9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4570A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4570A参考价格$3.63000。Microchip Technology 1N4570A封装/规格:二极管ZENER温度补偿。您可以下载1N4570A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N456ATR是DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35,包括切割胶带(CT)替代包装包装,它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装箱,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备包装功能,如DO-35,速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io)、,该器件也可以用作25nA@25V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max如果为1V@100mA,则该设备提供30V电压DC反向电压Vr Max,该设备具有500mA电流平均整流Io,其工作温度结范围为175°C(最大值)。
1N457_T50R,带用户指南,包括1V@20mA电压正向Vf最大值。如果设计为在70V电压直流反向Vr最大值下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-35,提供速度特性,如小信号=,包装设计为在磁带和卷轴(TR)交替包装中工作,以及DO-204AH、DO-35轴向包装箱,其工作温度结范围为175°C(最大值)。此外,安装类型为通孔,该器件为标准二极管类型,该器件具有25nA@60V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为200mA,电容Vr F为8pF@0V,1MHz。
1N457是DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35,包括8pF@0V、1MHz电容Vr F,它们设计用于200MA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于25nA@60V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,它的工作温度结范围为175°C(最大值),该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外,包装为散装交替包装,该设备以小信号=速度提供,该设备具有DO-35供应商设备包,电压DC反向Vr Max为70V,电压正向Vf Max If为1V@20mA。
1N4570-1是Microsemi制造的齐纳二极管0TC参考电压齐纳。1N4570-1在DO-35封装中提供,是二极管-齐纳-单体的一部分,并支持齐纳二极管0TC参考电压齐纳,齐纳二极管。