9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4101UR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4101UR参考价格$3.64498。Microchip Technology 1N4101UR封装/规格:二极管ZENER 8.2V 500MW DO213AA。您可以下载1N4101UR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4101是齐纳二极管。25W 5%低噪声/Lvl,包括1N4101系列,它们设计用于散装包装,零件别名显示在数据表注释中,用于BK,提供单位重量功能,例如0.004833盎司,安装样式设计用于通孔,以及2.29 mm高,该设备也可以用作5.08 mm长。此外,宽度为2.29 mm,该器件采用DO-35封装盒,该器件具有单一配置,Pd功耗为250 mW,最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为8.2 V,电压容差为5%,齐纳电流为29 mA,Zz齐纳阻抗为200欧姆,Ir反向电流为1uA。
1N4101-TR是齐纳二极管。25W 5%Lw噪声/Lvl,包括200欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于29 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于2.29 mm,提供8.2 V等Vz齐纳电压特性,电压容差设计为5%,以及0.004833盎司单位重量,该设备也可作为1N4101系列使用。此外,Pd功耗为250 mW,装置采用卷筒包装,装置具有DO-35包装盒,安装方式为通孔,最低工作温度范围为-65 C,最高工作温度范围+200 C,长度为5.08 mm,Ir反向电流为1 uA,高度为2.29 mm,配置为单一。
1N4101(DO35),带电路图,包括1μA@6.24V电流反向泄漏Vr,设计用于200欧姆阻抗最大Zzt的工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,其工作温度范围为-65°C~200°C,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装,该设备也可作为400mW最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-35,该设备的容差为±5%,该设备具有1V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为8.2V。