9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N825UR-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N825UR-1参考价格$9.27000。微芯片技术JATXV1N825UR-1包装/规格:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA。您可以下载JATXV1N825UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N823-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35,包括军用MIL-PRF-19500/159系列,它们设计用于散装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004586盎司,提供安装类型特征,如通孔,长度设计为4.44 mm,以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱,其工作温度范围为-65°C~175°C。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-35供应商设备包中提供,该设备具有±5%的公差,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为6.2V,阻抗最大Zzt为15欧姆,电流反向泄漏Vr为2μa@3V,直径为2.03 mm。
JATXV1N821-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35,包括6.2V电压齐纳标称Vz,它们设计为在0.004586盎司单位重量下运行,公差显示在数据表注释中,用于±5%,提供供应商设备包功能,如DO-35,功率最大设计为500MW,以及散装包装,该设备也可以用作DO-204AH、DO-35,轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~175°C,该设备采用通孔安装方式,该设备具有安装型通孔,长度为4.44 mm,阻抗最大Zzt为15欧姆,直径为2.03 mm,电流反向泄漏Vr为2μa@3V。
带有电路图的JATXV1N821UR-1,包括2μA@3V电流反向泄漏Vr,其设计为在直径为1.7 mm的情况下工作,阻抗最大值Zzt如数据表注释所示,用于15 Ohm,具有3.7 mm等长度特性,安装类型设计为在表面安装以及SMD/SMT安装方式下工作,该设备也可作为DO-213AA封装盒使用。此外,包装为散装,该设备以500mW最大功率提供,该设备具有军用MIL-PRF-19500/159系列,供应商设备包装为DO-213AA,公差为±5%,单位重量为0.001270盎司,电压齐纳标称Vz为6.2V。
JATXV1N823UR-1,带EDA/CAD型号,包括表面安装安装型,设计用于SMD/SMT安装型,系列如军用MIL-PRF-19500/159的数据表注释所示,提供DO-213AA等包装箱功能,供应商设备包设计用于DO-213A,以及散装包装,该器件也可以用作6.2V电压齐纳标称Vz。此外,最大功率为500mW,设备长度为3.7mm,设备具有2μa@3V的反向电流泄漏Vr,阻抗最大Zzt为15欧姆,直径为1.7mm,单位重量为0.001270盎司,公差为±5%。