9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZG05C4V7-E3-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZG05C4V7-E3-TR参考价格为0.27美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZG05C4V7-E3-TR封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC。您可以下载BZG05C4V7-E3-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZG05C4V3TR是DIODE ZENER 4.3V 1.25W DO214AC，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.00739盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供2.2毫米的高度特征，长度设计为4.5毫米，以及2.8毫米的宽度，该设备也可以用作DO-214AC，SMA封装外壳，其工作温度范围为150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-214AC，配置为单一，功率最大值为1.25W，电压齐纳标称Vz为4.3V，阻抗最大值Zzt为13欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@1V，电压正向Vf最大值If为1.2V@200mA，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.3 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.04%/K，Zz齐纳阻抗为13欧姆，Ir反向电流为3 uA。
BZG05C4V7-E3-TR带用户指南，包括4.7V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-214AC，功率最大值设计为1.25W，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该器件也可作为DO-214AC、SMA封装盒使用，其工作温度范围为150°C，该器件为表面安装型，该器件的最大阻抗为13欧姆，最大Zzt，电流反向泄漏Vr为3μa@1V。
BZG05C4V3TR3是DIODE ZENER 4.3V 1.25W DO214AC，包括3μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为在13欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为150°C，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作1.25W最大功率。此外，供应商设备包为DO-214AC，该设备提供1.2V@200mA正向电压Vf Max。如果该设备具有4.3V的电压齐纳标称Vz。
