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BZX55C36-TAP是DIODE ZENER 36V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长的安装方式，该设备也可以用作1.7毫米宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为36V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@27V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为36V，电压容差为6%，电压温度系数为0.08%/K，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX55C36-TR是DIODE ZENER 36V 500MW DO35，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.7毫米宽的情况下工作，数据表中显示了用于36V的Vz齐纳电压，提供36V等电压齐纳标称Vz特性，电压容限设计为6%，以及0.08%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833 oz，该设备采用DO-35供应商设备包提供，该设备的最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为80 Ohm，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@27V，配置为单一。
BZX55C36_T50R，带电路图，包括100nA@27V电流反向泄漏Vr，设计用于80欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±6%，该设备具有1.3V@100mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为36V。
