9icnet为您提供Renesas设计和生产的NE68033-T1B-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE68033-T1B-A参考价格为2.00000美元。瑞萨NE68033-T1B-A包装/规格：与2SC3585 NPN硅AMPL相同。您可以下载NE68033-T1B-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE68033-A是RF晶体管NPN SOT-23，包括散装封装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为35mA，电压收集器-发射器击穿最大值为10V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@10mA，6V，频率转换为10GHz，噪声系数dB Typ f为1.8dB@2GHz，增益为9dB，Pd功耗为0.2W，工作频率为3GHz，集电极-发射极电压VCEO Max为10V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为1.5V，连续集电极电流为0.035A。
NE6830-T1-R45-A是RF晶体管NPN SOT-323，包括10V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为与NPN晶体管类型一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供供应商器件封装功能，如SOT-323、功率最大值设计为150mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该装置也可以用作SC-70、SOT-323封装盒。此外，噪声系数dB Typ f为1.9dB@2GHz，该设备为表面安装安装型，该设备的增益为9.4dB，频率转换为10GHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@5mA，3V，集流器Ic最大值为35mA，配置为单一。
NE68033，电路图由GP/NEC制造。NE68033采用SOT23-3封装，是RF晶体管（BJT）的一部分。
