晶体管之间完全隔离
特色
- NPN晶体管（fT）。8兆赫
- NPN电流增益（hFE）。130
- NPN早期电压（VA）。50伏
- PNP晶体管（fT）。5.5GHz
- PNP电流增益（hFE）。60
- PNP早期电压（VA）。20伏
- 1.0GHz时的噪声系数（50Ω）…………3.5dB
- 收集器到收集器的泄漏<1磅/平方英寸
- 晶体管之间完全隔离
- 引脚与行业标准3XXX系列阵列兼容
- 无铅（符合RoHS）
HFA3096BZ
- 描述:晶体管类别: 3 NPN+2 PNP 最大集电极电流 (Ic): 65毫安 集电极击穿电压: 12伏、15伏 最大功率: 150mW 特征频率: 8GHz, 5.5GHz 供应商设备包装: 16-SOIC
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 37.15245 | 37.15245 |
- 库存: 5
- 单价: ¥37.15246
-
数量:
- +
- 总计: ¥37.15
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规格参数
- 增益 -
- 部件状态 可供货
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 最大集电极电流 (Ic) 65毫安
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 晶体管类别 3 NPN+2 PNP
- 集电极击穿电压 12伏、15伏
- 特征频率 8GHz, 5.5GHz
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1GHz时为3.5分贝
- 最大功率 150mW
- 最小直流增益 40 @ 10毫安, 2V / 20 @ 10毫安, 2V
- 包装/外壳 16-SOIC（0.154“，3.90毫米宽）
- 供应商设备包装 16-SOIC
HFA3096BZ 产品详情
晶体管阵列，Intersil
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 | HFA08TB60 | 威世二极管 (Vishay General) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 600 V 整流平均值 (Io): 8A 反向恢复时长 (trr): 55 ns 供应商设备包装: TO-220AC 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥2.7523 |
 | HFA1105IP | 放大器的种类: 电流反馈 电线数量: one 增益带宽积: 140兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥11.15407 | |
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 | HFA1115IB | 放大器的种类: 缓冲器 电线数量: one 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥18.03482 | |
 | HFA1149IP | 放大器的种类: 电流反馈 电线数量: one 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥11.66107 | |
 | HFA7-0002-5 | 放大器的种类: 一般用途 电线数量: one 增益带宽积: 1 GHz 供应商设备包装: 8-CERDIP 工作温度: 0摄氏度~75摄氏度（TA） 安装类别: 通孔 | ¥86.19051 |
HFA3096BZ所属分类：双极射频晶体管，HFA3096BZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HFA3096BZ价格参考￥37.152456，你可以下载 HFA3096BZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HFA3096BZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
