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HFA3102BZ

  • 描述:晶体管类别: 6 NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 250mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 14-SOIC
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 65.76553 65.76553
10+ 59.42075 594.20752
100+ 49.19739 4919.73980
500+ 43.54431 21772.15750
1000+ 43.54431 43544.31500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥65.76553
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥65.77
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 12伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 特征频率 10GHz
  • 最大集电极电流 (Ic) 30毫安
  • 最大功率 250mW
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 晶体管类别 6 NPN
  • 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1.8分贝~2.1分贝@500MHz~1GHz
  • 增益 12.4分贝~17.5分贝
  • 最小直流增益 40 @ 10毫安, 3V
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 供应商设备包装 14-SOIC

HFA3102BZ 产品详情

HFA3102BZ是一个全NPN晶体管阵列,配置为带有尾部晶体管的双差分放大器。基于Intersil键合晶片UHF-1 SOI工艺,该阵列实现了非常高的fT(10GHz),同时在温度上保持了优异的hFE和VBE匹配特性。集电极漏电流保持在0.01nA以下。

特色

  • 高增益带宽产品(fT)10GHz
  • 高功率增益带宽产品5GHz
  • 高电流增益(hFE)70
  • 噪声系数(晶体管)3.5dB
  • 低集电极漏电流<0.01nA
  • 卓越的hFE和VBE匹配
  • 引脚到引脚到UPA102G
  • 可提供无铅加退火(符合RoHS)


HFA3102BZ所属分类:双极射频晶体管,HFA3102BZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HFA3102BZ价格参考¥65.765532,你可以下载 HFA3102BZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HFA3102BZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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