9icnet为您提供由CEL设计和生产的NE85630-R24-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE85630-R24-A参考价格为16.080164美元。CEL NE85630-R24-A包装/规格：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323。您可以下载NE85630-R24-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE85619-T1-A是RF晶体管NPN SOT-523，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为与2SC5006-T1-A零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如SOT-523，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-523供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为100mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为100mA，集电器发射极击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@7mA，3V，频率转换为4.5GHz，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，增益为9dB，Pd功耗为100 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为3 V，连续集电极电流为100 mA。
NE85630-A是RF晶体管NPN SOT-323，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为以0.002116盎司的单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性特性，如NPN，技术设计用于Si，以及SOT-323供应商设备包，该器件还可以用作150mW最大功率。此外，Pd功耗为0.150 W，该器件采用散装交替封装，该器件具有SC-70、SOT-323封装外壳，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，增益为9dB，频率转换为4.5GHz，发射极基极电压VEBO为3 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为40@7mA，3V，直流集电极基极增益hFE Min为40，集电极Ic Max为100mA，连续集电极电流为0.1 A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V。
NE85630，电路图由86K制造。NE85630采用SOT-323封装，是RF晶体管（BJT）的一部分。
