9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB13005-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB13005-1参考价格1.04000美元。STMicroelectronics STB13005-1包装/规格：TRANS NPN 400V 4A I2PAK。您可以下载STB13005-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB12NM50T4是MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK，包括STB12NM90系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有160 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为12 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极电阻为350m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型导通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为5.5S，沟道模式为增强。
STB12NM50ND是MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及N沟道MDmesh系列，该器件也可以用作380毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为100 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为11 a。
STB12NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK。STB12NM6 0N可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 10A D2PAG，N沟道600V 10A（Tc）90W（Tc。
STB12NM60NT4带有ST制造的EDA/CAD模型。STB12NM6 0NT4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
