9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FZT855TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FZT855TC参考价格为0.154148美元。Diodes Incorporated FZT855TC包装/规格：TRANS NPN 150V 5A SOT223。您可以下载FZT855TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FZT855TA是TRANS NPN 150V 5A SOT-223，包括FZT855系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供3W功率最大值，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为5A，集电器发射极击穿最大值为150V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1A，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为355mV@500mA，5A，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为90MHz，Pd功耗为3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为150 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为355 mV，集电极基极电压VCBO为250 V，且发射极基极电压VEBO为7V，且最大DC集电极电流为10A，且增益带宽积fT为90MHz，且连续集电极电流是5A，且DC集电极基极增益hfe Min在5A5V时为15，且DC电流增益hfe Max为100。
FZT853TA是TRANS NPN 100V 6A SOT-223，包括0.000282 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于FZT853，该FZT853提供Pd功率耗散功能，如3 W，包装设计用于卷筒，以及SOT-223封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为10 a，增益带宽积fT为130 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为100，直流集电极基极增益hFE Min在10 a 2 V时为20，连续集电极电流6 a，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为100V，集电极发射极饱和电压为340mV，集电极基极电压VCBO为200V。
FZT853AT，电路图由ZETEX制造。FZT853AT采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
