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FDR8521L是MOSFET P-CHAN 20V SSOT-8，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于8-SMD鸥翼封装外壳，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），输出类型设计用于P通道，以及开/关接口，该设备也可以用作SuperSOT-8供应商设备包。此外，输入/输出比率为1899/12/30 1:01:00，该设备提供1个输出，该设备具有无需电压源Vcc Vdd，输出配置为高端，Rds On Typ为54 mOhm，电压负载为3 V~20 V，电流输出最大值为2.9A，开关类型为通用型。
FDR8508P是MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8，包括3V@250μ-8供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如52 mOhm@3A，10V，Power Max设计工作功率为800mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，鸥翼封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有750pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为3A。
FDR885P是FAI制造的MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8。FDR8858P可提供8-SSOT、SuperSOT-8封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8、P沟道30V 8A（Ta）1.8W（Ta）表面安装SuperSOT-8.
