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PMDPB80XP，115，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-HUSON（2x2）以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作485mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供550pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有逻辑电平门，1.8V FET驱动功能，电流连续漏极Id 25°C为2.7A，最大Id Vgs为102mOhm@2.7A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为8.6nC@4.5V。
PMDPB85UPE，115，带有用户指南，包括950mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于103 mOhm@1.3A，4.5V，提供515mW等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及6-UDFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供514pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有8.1nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A。
PMDPB95XNE，115，带电路图，包括2.4A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于2.5nC@4.5V，以及143pF@15V输入电容Ciss Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用6-UDFN暴露焊盘封装盒，该设备具有Digi-ReelR封装，最大功率为475mW，Rds On Max Id Vgs为120 mOhm@2A，4.5V，供应商设备封装为6-HUSON（2x2），Vgs th Max Id为1.5V@250μa。
