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CSD87312Q3E是MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON,包括NexFET?系列,它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装,安装方式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供NexFET等商标功能,包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2通道数量的通道,器件具有8-VSON(5x6)供应商器件封装,配置为双公共源,FET类型为2 N通道(双)公共源,最大功率为2.5W,晶体管类型为2 N-通道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Ciss Vds为1250pF@15V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为27A,最大Id Vgs上的Rds为33 mOhm@7A,8V,Vgs最大Id为1.3V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为8.2nC@4.5V,Pd功耗为2.5W,其最大工作温度范围为+150 C,它的最小工作温度范围为-55℃,下降时间为2.8 ns,上升时间为16 ns,Vgs栅极-源极电压为10 V,Id连续漏极电流为27 A,Vds漏极-源极击穿电压为30 V,Vgs第N栅极-源极端电压为1 V,Rds漏极源极电阻为38 mΩ,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为17ns,典型接通延迟时间为7.8ns,Qg栅极电荷为6.3nC,正向跨导Min为39S。
CSD86350Q5D是MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON,包括2.1V@250μA Vgs th Max Id,它们设计用于10 V Vgs栅极-源极电压,Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中,用于25 V 25 V,提供晶体管类型功能,如2 N通道,晶体管极性设计用于N通道,以及NexFET商品名,该器件也可以用作Si技术。此外,供应商设备包为8-LSON(5x6),设备采用NexFET?系列,该器件具有23 ns的上升时间,Rds On Max Id Vgs为6 mOhm@20A,8V,Rds On漏极-源极电阻为5 mOhm 1.1 mOhm,功率最大值为13W,Pd功耗为13 W,封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为8-PowerLDFN,工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为2通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,输入电容Cis-Vds为1870pF@12.5V,Id连续漏极电流为40 A 40 A,栅极电荷Qg-Vgs为10.7nC@4.5V,FET类型为2 N沟道(半桥),FET特性为逻辑电平门,下降时间为21ns,漏极到源极电压Vdss为25V,开发套件为CSD86350Q5DEVM-604,电流连续漏极Id 25°C为40A,配置为双重。
CSD86360Q5D是MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON,包括功率块配置,它们设计用于在25°C的50A电流连续漏极下工作,漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示,用于25V,提供4.3 ns等下降时间特性,FET特性设计用于逻辑电平门,以及2 N沟道(半桥)FET类型,该器件也可以用作12.6nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs。此外,输入电容Cis-Vds为2060pF@12.5,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,安装类型为表面安装,安装类型是SMD/SMT,通道数为1通道,工作温度范围是-55℃~150℃(TJ),封装盒为8-PowerLDFN,包装为Digi-ReelR交替包装,最大功率为13W,上升时间为20.4ns,系列为NexFET?,供应商设备包为8-LSON(5x6),技术为Si,商品名为NexFET,晶体管极性为N通道,晶体管类型为1 N通道,Vgs最大Id为2.1V@250μA。
CSD86350Q5DEVM-604是CSD86350Q 5D的EVAL模块,包括NexFET?系列,它们设计用于完全填充的板类型,主要用途如数据表注释所示,用于DC/DC降压,提供CSD86350Q等实用IC部件功能,调节器拓扑设计用于降压,以及板提供的内容,该设备还可以用作8 V~13 V电压输入。此外,频率开关为290kHz,设备提供25A电流输出,设备具有1.2V电压输出,输出和类型为1,非隔离。