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CSD75207W15是MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商品名功能，包装盒设计用于9-UFBGA、DSBGA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的9-DSBGA，配置为双公共源极通道，FET类型为2 P通道（双），最大功率为700mW，晶体管类型为2 P-通道，输入电容Cis-Vds为595pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.9A，最大Id Vgs上的Rds为162 mOhm@1A，1.8V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.7nC@4.5V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为-2.4 A，Vgs栅极-源极阈值电压为-800mV，漏极-源极电阻为27mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为2.9nC。
CSD75208W1015是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供NexFET等商标特性，技术设计用于Si，以及6-DSBGA供应商设备包，该设备也可以用作NexFET？系列此外，Rds On Max Id Vgs为68 mOhm@1A，4.5V，该设备提供750mW Power Max，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为6-UFBGA，DSBGA，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），信道数为2信道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为410pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为2.5nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双）公共源极，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为1.6A。
CSD75205W1015是MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA，包括1.2A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在2.2nC@4.5V下工作，除了265pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-UFBGA、DSBGA封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为750mW，最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@1A、4.5V，系列为NexFET？，供应商设备包为6-DSBGA（1x1.5），Vgs th Max Id为850mV@250μA。
