9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN601DWK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN601DWK-7参考价格为0.54000美元。Diodes Incorporated DMN601DWK-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363。您可以下载DMN601DWK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN601DWK-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如DMN601DWK-7库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
DMN601DMK-7是MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26，包括DMN60系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在SOT-26供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为700mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为510mA，最大Id Vgs的Rds为2.4 Ohm@200mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为304nC@4.5V，Pd功耗为225 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，下降时间为9.9 ns，上升时间为3.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为305mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15.7ns，典型导通延迟时间为3.9ns，Qg栅极电荷为304nC，并且前向跨导Min为100mS，并且信道模式为增强。
DMN601DMK-7-F是由GP/DIODES制造的MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26。DMN601DMK-7-F采用SOT-23-6封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26。
DMN601DWK是Diodes制造的MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363。DMN601DWK采用SOT-363封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363。
