9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN62D0UT-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN62D0UT-13参考价格为0.05498美元。Diodes Incorporated DMN62D0UT-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523。您可以下载DMN62D0UT-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN62D0UT-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN62D0UDW-13，带有引脚细节，包括DMN62D0 U系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为SOT-363，该设备为2 N沟道（双）FET型，该设备最大功率为320mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为32pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为350mA，最大Id Vgs为2 Ohm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.5nC@4.5V，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的DMN62D0UDW-7，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-363，以及DMN62D0 U系列，该设备也可用于2 Ohm@100mA，4.5V Rds最大Id Vgs。此外，最大功率为320mW，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为32pF@30V，栅极电荷Qg-Vgs为0.5nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为350mA。
带有电路图的DMN62D0UT-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN62，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
