9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1926DL-T1-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1926DL-T1-BE3参考价格为0.43000美元。Vishay Siliconix SI1926DL-T1-BE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363。您可以下载SI1926DL-T1-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si1922EDH-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1988DH-T1-GE3的零件别名，该SI1988DH T1-GE3提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.25W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，最大Id Vgs的Rds为198 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.5nC@8V，Pd功耗为1.25 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为220纳秒，上升时间为80纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为1.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1 V，Rds漏极源极电阻为198毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为480ns，典型接通延迟时间为43ns，Qg栅极电荷为1.6nC。
SI1926A，带有VISHAY制造的用户指南。SI1926A采用SOP封装，是IC芯片的一部分。
Si1926DL是Vishay Siliconix制造的MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363。Si1926DL采用SOT363封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363。
