9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4670DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4670DY-T1-GE3参考价格为0.56100美元。Vishay Siliconix SI4670DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4670DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4670DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI4670DY E3，提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SO，配置为双通道，带肖特基二极管，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为680pF@13V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，Rds On Max Id Vgs为23mOhm@7A，10V，Vgs th Max Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@10V，Pd功耗为1.8W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50ns，上升时间为50s，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds漏极源极电阻为23mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SI4668DY-T1-GE3是MOSFET 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm@10V，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如21 ns，典型的关闭延迟时间设计为73 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以12 ns上升时间提供，器件具有10.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI4668DY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11.5 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4670DY，带有SI制造的电路图。SI4670D采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
