9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3A06DN8TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3A06DN8TC参考价格为0.928美元。Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TC封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC。您可以下载ZXMN3A06DN8TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3A06DN8TA是MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC，包括ZXMN3系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为796pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，最大值Rds Id Vgs为35mOhm@9A，10V，Vgs最大值Id为1V@250μA（最小值），栅极电荷Qg-Vgs为17.5nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为9.4ns，上升时间为6.4ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为6.2A，Vds漏源击穿电压为30V，Rds漏源电阻为35mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21.6ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
ZXMN3A06D，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN3A06D在SOT163封装中提供，是FET阵列的一部分。
ZXMN3A06DN8，电路图由Zetex制造。ZXMN3A06DN8在SOP8包中提供，是FET阵列的一部分。
