9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MCH6605-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MCH6605-TL-E参考价格为0.16000美元。onsemi MCH6605-TL-E封装/规格：MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6。您可以下载MCH6605-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MCH6604-TL-E是MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6，包括MCH6604系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于6-SMD、扁平引线以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的6-MCPH，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为800mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为6.6pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为250mA，最大Id Vgs上的Rds为7.8 Ohm@50mA，4V，栅极电荷Qg Vgs为1.57nC@10V，Pd功耗为800mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为105 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为250mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为190nS，典型的接通延迟时间为18nS，Qg栅极电荷为1.57nC。
MCH6604-TL是SANYO制造的MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6。MCH6604-TL采用6-SMD扁平引线封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6。
MCH6605-TL是由SANYO制造的MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6。MCH6605-TL采用6-SMD扁平引线封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6。
