9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMD6P02R2G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVMD6P02R2G参考价格0.63000美元。onsemi NVMD6P02R2G封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC。您可以下载NVMD6P02R2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMD6N04R2G是MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC，包括NTMD6N04系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），以及Si技术，该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该器件采用8-SOIC供应商器件封装，该器件具有2 N信道（双）FET类型，最大功率为1.29W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为900pF@32V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.6A，最大Id Vgs上的Rds为34mOhm@5.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为30nC@10V，Id连续漏极电流为5.8A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道。
NVMD4N03R2G带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于8-SOIC的供应商设备包，该设备提供NTMD4N03、Rds on Max Id等系列功能。Vgs设计为在60 mOhm@4A、10V以及2W功率最大值下工作，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）封装。此外封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件为表面安装型，输入电容Cis-Vds为400pF@20V，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
NVMD6N03R2G是MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC，包括6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为与30V漏极到源极电压Vdss一起工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型的特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在30nC@10V下工作，以及950pF@24V输入电容Ciss Vds，该器件也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为1.29W，最大Id Vgs的Rds为32 mOhm@6A，10V，供应商器件封装为8-SOIC，最大Id的Vgs为2.5V@250μa。
