9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS8958A-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS8958A-F085参考价格1.73000美元。onsemi FDS8958A-F085封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC。您可以下载FDS8958A-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDS8958A是MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表注释中显示了用于FDS8958A_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为900mW，晶体管类型为1个N通道1个P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为575pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A、5A，最大Id Vgs的Rds为28mOhm@7A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns 9 ns，上升时间为5ns 13ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为28mOhms 52mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为23ns 14ns，典型接通延迟时间为8ns 7ns，并且前向跨导Min为25S 10S，并且信道模式为增强。
FDS8958是MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如28mOhm@7A，10V，Power Max设计用于2W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有789pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为7A，5A。
FDS8958A/FDS8958-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDS8958A/FDS8958-NL采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
