9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA911DJ-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA911DJ-T1-GE3参考价格565.316美元。Vishay Siliconix SIA911DJ-T1-GE3封装/规格:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA911DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA911DJ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6,包括TrenchFETR系列,它们设计用于Digi-ReelR封装,数据表说明中显示了用于PowerPAKR SC-70-6 Dual的封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,该器件也可以用作2P沟道(双)FET型。此外,最大功率为6.5W,该器件提供20V漏极到源极电压Vdss,该器件具有355pF@10V的输入电容Cis-Vds,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为4.5A,最大Id Vgs上的Rds为94 mOhm@2.8A,4.5V,Vgs最大Id为1V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为12.8nC@8V。
SIA911ADJ-T5-GE3,带有VISHAY制造的用户指南。SIA911ADJ-T5-GE3采用QFN封装,是IC芯片的一部分。
SIA911DJ,电路图由RCR制造。SIA911DJ在BGA封装中提供,是FET阵列的一部分。