9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4946EY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4946EY-T1-E3价格参考1.93美元。Vishay Siliconix SQ4946EY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC。您可以下载SQ4946EY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SQ4946AEY-T1_GE3，带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N沟道（双），功率最大值为4W，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为750pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A，最大Id Vgs上的Rds为40mOhm@4.5A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@10V，Pd功耗为4W，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为2.1 ns，上升时间为3.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2.5 V，Rds导通漏极-源极电阻为33mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22.4ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为11.7nC，正向跨导最小值为15S。
SQ4946AEY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC，包括2.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SQ系列，上升时间为3.3ns，漏极-源极电阻Rds为33mOhms，Qg栅极电荷为11.7nC，Pd功耗为4W，部件别名为SQ4946AEY-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为7.5 A，正向跨导最小值为15 S，下降时间为2.1 ns，配置为双通道。
SQ4942EY-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQ4942EY-T1-GE3在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
