9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1025X-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1025X-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI1025X-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89。您可以下载SI1025X-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1025X-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
Si1025X-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1025X-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商设备包为SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为23pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为190mA，最大Id Vgs上的Rds为4 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.7nC@15V，Pd功耗为250 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为190 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
SI1025-B-GMR是IC RF TXRX+MCU ISM，包括1.8 V ~ 3.8 V电源，它们设计为与TXRX+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于I2C、SPI、UART的串行接口，提供了-121dBm等灵敏度特性，RF系列标准设计为在通用ISM以及EZRadioPro协议中工作，该设备也可以用作13dBm（最大）功率输出。此外，该包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备采用85-VFLGA外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制方式为FSK、GFSK、OOK，内存大小为64kB闪存，8.5kB RAM，GPIO为53，频率为240MHz~960MHz，数据速率最大值为256kbps，电流传输为17mA~30mA，电流接收为18.5mA。
SI1025X-T1-E3是MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F，包括190mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于1.7nC@15V，除了23pF@25V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为250mW，最大Id Vgs上的Rds为4 Ohm@500mA、10V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为SC-89-6，Vgs th Max Id为3V@250μA。
SI1025X，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI1025X在SOT-563封装中提供，是FET阵列的一部分。
