9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIB912DK-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIB912DK-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SIB912DK-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6。您可以下载SIB912DK-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIB900EDK-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SIB900EDTK-GE3中使用的零件别名，该SIB900ED K-GE3提供单位重量功能，如0.003386盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-75-6L双封装外壳，该器件也可作为硅技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-75-6L双通道，配置为带肖特基二极管的单通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.5A，最大Id Vgs上的Rds为225 mOhm@1.6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.7nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12纳秒，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通-漏极电阻为960毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70纳秒，典型的开启延迟时间为20ns，信道模式为增强。
SIB911DK-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-75-6L双供应商器件包一起工作，该系列在数据表说明中显示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如295 mOhm@1.5A，4.5V，Power Max设计为3.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-75-6L双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有115pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为4nC@8V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为2.6A。
SIB911DK-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6，包括2.6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在4nC@8V下工作，除了115pF@10V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR SC-75-6L双封装外壳，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大值为3.1W，Rds On Max Id Vgs为295 mOhm@1.5A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为PowerPAKR SC-75-6L Dual，Vgs th Max Id为1V@250μA。
