9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFD5875NLT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFD5875NLT3G参考价格为1.708美元。onsemi NVMFD5875NLT3G封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL。您可以下载NVMFD5875NLT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFD5875NLT3G，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与8 PowerTDFN包装箱一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）供应商器件包，该器件也可以用作2N信道（双）FET类型。此外，最大功率为3.2W，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有540pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A，最大Id Vgs上的Rds为33mOhm@7.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V。
NVMFD5875NLWFT1G带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）的供应商设备包，该设备提供Rds on Max Id Vgs功能，例如33 mOhm@7.5A，10V，功率最大设计为3.2W，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作8功率TDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有540pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，FET类型为2N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为7A。
带有电路图的NVMFD5875NLWFT3G，包括7A电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于20nC@10V，以及540pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerTDFN封装盒，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替封装，最大功率为3.2W，最大Id Vgs的Rds为33 mOhm@7.5A，10V，供应商设备封装为8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），工艺为Si，Vgs最大Id为3V@250μA。
