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FDG6304P

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.34574 4.34574
10+ 3.70836 37.08365
100+ 2.76823 276.82360
500+ 2.17518 1087.59400
1000+ 1.68086 1680.86000
3000+ 1.57294 4718.82300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.35
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 62皮法 @ 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 410毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.1欧姆@410毫安,4.5伏

FDG6304P 产品详情

这些双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件特别设计用于低压应用,作为双极数字晶体管和小信号MOSFET的替代品。

特色

  • -25 V,-0.41 A连续,-1.5 A峰值。
  • RDS(ON)=1.1Ω@VGS=-4.5 V,
  • RDS(开)=1.5Ω@VGS=-2.7 V。
  • 极低水平的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接操作(VGS(th)<1.5 V)。
  • 用于ESD耐用性的栅源齐纳(>6kV人体模型)。
  • 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG6304P所属分类:场效应晶体管阵列,FDG6304P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG6304P价格参考¥3.838737,你可以下载 FDG6304P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG6304P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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