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NTMFD4902NFT3G

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A,13.3A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 5000

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  • 单价: ¥6.62276
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33,113.82
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 场效应管类型 2 N通道(双通道),肖特基
  • 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1150皮法@15V
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 10A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10.3A,13.3A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V
  • 最大功率 1.1瓦、1.16瓦

NTMFD4902NFT3G 产品详情

双N沟道功率MOSFET,集成肖特基30 V,高侧18 A/低侧23 A,双N沟道SO8FL

特色

  • 共封装功率级解决方案,最大限度地减少电路板空间
  • 最小化寄生电感
  • 优化设备以降低功耗
  • 符合RoHS

应用

  • DC−DC转换器
  • 系统电压轨
  • 负载点
NTMFD4902NFT3G所属分类:场效应晶体管阵列,NTMFD4902NFT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMFD4902NFT3G价格参考¥6.622763,你可以下载 NTMFD4902NFT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMFD4902NFT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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