DMC1229UFDB-13
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A, 3.8A 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 10000+ | 1.18421 | 11842.14000 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 导通电阻 Rds(ON) 29毫欧姆@5A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19.6nC@8V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 914皮法@6V
- 最大功率 1.4瓦
- 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type B)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.6A, 3.8A
DMC1229UFDB-13 产品详情
双N/P沟道MOSFET，二极管股份有限公司。
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DMC1229UFDB-13所属分类：场效应晶体管阵列，DMC1229UFDB-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMC1229UFDB-13价格参考￥1.184214，你可以下载 DMC1229UFDB-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMC1229UFDB-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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