9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2100UCB9-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2100UCB9-7参考价格为1.984美元。Diodes Incorporated DMP2100UCB9-7封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB。您可以下载DMP2100UCB9-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2100U-7是MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23，包括DMP2100系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为216pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4.3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为38 mOhm@3.5A，10V，Vgs的最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.1nC@4.5V，Pd功耗为800 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为423 ns，上升时间为155ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为-4.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为38mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为688ns，典型接通延迟时间为80ns，Qg栅极电荷为9.1nC，正向跨导Min为3S，信道模式为增强。
DMP2070UCB6-7是MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与P沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了DMP2070等系列功能，Rds漏极源极电阻设计为工作在150 mOhms，该装置也可以用作U-WLB1015-6封装盒。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供2.5A Id连续漏电流。
DMP2100U，电路图由DIODES制造。DMP2100U采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
