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DMC2041UFDB-13

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A, 3.2A 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 场效应管特性 标准
  • 最大功率 1.4瓦
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type B)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15nC @ 8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.7A, 3.2A
  • 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 4.2A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 713皮法 @ 10V

DMC2041UFDB-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。

DMC2041UFDB-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMC2041UFDB-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMC2041UFDB-13价格参考¥2.395589,你可以下载 DMC2041UFDB-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMC2041UFDB-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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