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CSD18537NQ5A是MOSFET N-CH 60V 50A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-SON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为75W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1480pF@30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为11A（Ta），50A（Tc），Rds On最大Id Vgs为13mOhm@12A，10V，Vgs th最大Id为3.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为3.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.2ns，上升时间为4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为62A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.4ns，典型导通延迟时间为5.8ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导Min为62S，信道模式为增强。
CSD18537NQ5AT是MOSFET 60V NCh NexFET功率MOSFET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如5.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为14.4 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD18537NQ5A系列，上升时间为4纳秒，漏极源极电阻Rds为13毫欧，Qg栅极电荷为14 nC，Pd功耗为3.2 W，封装为卷轴，封装外壳为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为62 A，正向跨导最小值为62 S，下降时间为3.2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD18540Q5BT是MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON，包括100A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了4230pF@30V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8 PowerTDFN封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为3.1W，最大Id Vgs上的Rds为2.2mOhm@28A，10V，系列为NexFET？，供应商设备包为8-VSON（5x6），Vgs th Max Id为2.3V@250μA。
CSD18540Q5B是TI制造的“MOSFET 60V”。CSD18540Q 5B以VSON8封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET60V、MOSFET60V和N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
