9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FQD3N60TF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQD3N60TF参考价格为0.53000美元。其他FQD3N60TF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK。您可以下载FQD3N60TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD3N60CTM_WS带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.009184盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为50W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为2.4A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极源极电阻为3.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为10.5nC，沟道模式为增强。
FQD3N60，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD3N60在SOT-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQD3N60C，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD3N60C采用TO-252（DPAK）封装，是FET的一部分-单个。
FQD3N60CTM是FSC制造的Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3引脚（2+Tab）DPAK T/R。FQD3N60CTM采用TO-252封装，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSFET N-CH 600V 2.4A 3引脚（2+Tab）DPAK T/R。
