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FDMC86520L是MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007408盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有8-MLP（3.3x3.3），电源33为供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为4550pF@30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为13.5A（Ta），22A（Tc），Rds On最大Id Vgs为7.9mOhm@13.5A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为64nC@10V，Pd功耗为2.3W，下降时间为3.4ns，上升时间为5.2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.7V，Rds漏极源极导通电阻为6.5mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为45nC，正向跨导最小值为49S。
FDMC86570LET60是MOSFET PT7 N-ch 60/20V功率沟道MOSFET，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.005386 oz，典型开启延迟时间设计为19 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为6.2 ns，漏极-源极电阻Rds为5 mOhms，Qg栅极电荷为63 nC，Pd功耗为54 W，封装为卷轴式，封装盒为Power-33-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为56 A，正向跨导最小值为75 S，下降时间为3.9 ns。
FDMC86570L是MOSFET N-CH 60V 56A POWER33，包括单一配置，它们设计为在10 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了75 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流功能，如56 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用Power-33-8封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为54W，Qg栅极电荷为88nC，Rds漏极-源极电阻为6.5mOhm，上升时间为12ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为34ns，单位重量为0.005386oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V。
