9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FQPF9N30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF9N30参考价格为0.70000美元。其他FQPF9N30封装/规格：MOSFET N-CH 300V 6A TO220F。您可以下载FQPF9N30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF9N25CT是MOSFET N-CH/250V/9A/QFET，包括管封装，它们设计为与FQPF9N2 5CT_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在to-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有38 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为85 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为430mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
FQPF9N25CYDTU是MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.090478盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为90 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为85 ns，器件的漏极电阻为430 mOhms，Pd功耗为38 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8.8 A，下降时间为65 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF9N25CRDTU，电路图由FSC制造。FQPF9N25CRDTU采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
