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FDFS2P106A是MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于FDFS2P06A_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.5 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-3A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
FDFS2P753Z是MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为31 ns，器件具有115 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.6 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为-3A，正向跨导最小值为6S，下降时间为31ns，配置为单肖特基二极管，信道模式为增强型。
FDFS2P103A是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC。FDFS2P103A采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC、P沟道30V 5.3B（Ta）900mW（Ta）表面安装8-SOIC，Trans MOSFET P-CH30V 5.3C 8-Pin SOIC N T/R。
